LEEM-8 Magnetoresistive Effect փորձարարական ապարատը

Նշում: օսիլոսկոպը ներառված չէ

Սարքը պարզ է կառուցվածքով և հարուստ բովանդակությամբ: Այն օգտագործում է երկու տեսակի սենսորներ. GaAs Hall սենսորը մագնիսական ինդուկցիայի ուժգնությունը չափելու և InSb մագնիսակայունության սենսորի դիմադրությունը տարբեր մագնիսական ինդուկցիայի ինտենսիվության տակ ուսումնասիրելու համար: Ուսանողները կարող են դիտարկել կիսահաղորդչի Hall- ի և մագնիսակայունության էֆեկտը, որը բնութագրվում է հետազոտական ​​և նախագծային փորձերով:

Փորձեր

1. Ուսումնասիրել InSb սենսորի դիմադրության փոփոխությունը ընդդեմ կիրառվող մագնիսական դաշտի ինտենսիվության. գտնել էմպիրիկ բանաձեւը:

2. Գծապատկեր InSb ցուցիչի դիմադրություն ընդդեմ մագնիսական դաշտի ինտենսիվության:

3. Ուսումնասիրեք InSb սենսորի AC բնութագիրը թույլ մագնիսական դաշտի տակ (հաճախականության կրկնապատկման ազդեցություն):

Տեխնիկական պայմաններ